为深入贯彻落实科学发展观，引导光伏制造行业加快转型升级，推动我国光伏产业持续健康发展，根据《国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见》（国发[2013]24号）和国家有关法律法规及产业政策，按照优化布局、调整结构、控制总量、鼓励创新、支持应用的原则，制定本规范条件。
一、生产布局与项目设立
（一）光伏制造企业及项目应符合国家资源开发利用、环境保护、节能管理等法律法规要求，符合国家产业政策和相关产业规划及布局要求，符合当地土地利用总体规划、城市总体规划、环境功能区划和环境保护规划等要求。
（二）在国家法律法规、规章及规划确定或省级以上人民政府批准的基本农田保护区、饮用水水源保护区、自然保护区、风景名胜区、重要生态功能保护区和生态环境敏感区、脆弱区等法律、法规规定禁止建设工业企业的区域不得建设光伏制造项目。上述区域内的现有企业应逐步迁出。
（三）严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目。对加强技术创新、降低生产成本等确有必要的新建和改扩建项目，报行业主管部门及投资主管部门备案。新建和改扩建光伏制造项目，最低资本金比例为20%。
二、生产规模和工艺技术
（一）光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。
（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力；具有省级以上独立研发机构、技术中心或高新技术企业资质，每年用于研发及工艺改进的费用不低于总销售额的3%且不少于1000万元人民币；申报符合规范名单时上一年实际产量不低于本条第（三）款产能要求的50%。
（三）光伏制造企业按产品类型应分别满足以下要求：
1.多晶硅项目每期规模大于3000吨/年；
2.硅锭年产能不低于1000吨；
3.硅棒年产能不低于1000吨；
4.硅片年产能不低于5000万片；
5.晶硅电池年产能不低于200MWp；
6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；
7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。
（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求；
2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2μs，电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA；单晶硅片少子寿命大于10μs，电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA；
3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；
4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；
5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。
（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《硅多晶》（GB/T12963）2级品以上要求；
2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2.5μs，电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；单晶硅片少子寿命大于11μs，电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；
3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18%和20%；
4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；
5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。
（六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2年内分别不高于3.2%和4.2%，25年内不高于20%；薄膜电池组件衰减率在2年内不高于5%，25年内不高于20%。
三、资源综合利用及能耗
（一）光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土地使用标准，严格保护耕地，节约集约用地。
（二）光伏制造项目能耗应满足以下要求：
1.现有多晶硅项目还原电耗小于80千瓦时/千克，综合电耗小于140千瓦时/千克；新建和改扩建项目还原电耗小于60千瓦时/千克，综合电耗小于100千瓦时/千克；
2.现有硅锭项目平均综合能耗小于9千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于7千瓦时/千克；如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品，项目平均综合能耗的增加幅度不得超过0.5千瓦时/千克；
3.现有硅棒项目平均综合能耗小于50千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于45千瓦时/千克；
4.现有多晶硅片项目平均综合能耗小于60万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于55万千瓦时/百万片；现有单晶硅片项目平均综合能耗小于40万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片；
5.电池项目平均综合能耗小于15万千瓦时/MWp；
6.晶硅电池组件项目平均综合能耗小于8万千瓦时/MWp；薄膜电池组件项目平均能耗小于50万千瓦时/MWp。
